Добавлено: 09 ноя 2014 01:51
Существенный недостаток этой схемы - сквозные токи, во-первых - затянут фронт выхода из насыщения транзисторов мульт., рассмотрим Q1, так как происходит перезаряд С2 через R2 и открытую базу Q1. Второе. Силовые транз. заходят в глкбокое насыщение, выход из которого требует время на рассасывание неосновных носителей в базе. Влияние сквозных токов проявляется провалами на выходном напряжении (там, наверно, с обмотки стоит диодный мост):Зиновий писал(а):
Некорректно спроектирован мульт. Рассмотрим переход в насыщение, пусть Q1, через С2 к базе Q2 кратковременно прикладывется -12 В, так как база сильно легирована, эмиттерный переход Q2 заходит в обратимый лавинный пробой (типовое значение лавинного пробоя Э-Б современных высокочастотных диффузионных транз. около 7 В), потому до перезаряда конд. до выхода из лавинного пробоя потенциал насыщающегося транзистора не сразу подает до насыщенного.
Все проблемы решаются, если применить другой задающий генератор, проще всего его сделать на генераторе симметричного пилообразного напряжения с двумя компараторами, один инвертирующий, другой неинверт. с разнесенными порогами компарации. Всего 4 ОУ, 7 резисторов, 1 конденсатор. При этом в силовой части будет промежуток, когда оба ключа закрыты и исключен сквозной ток, КПД сразу взлетит. Для ~100 Вт легко 86%, ~500 Вт - 92-95%. В качестве ключей лучше применить не биполярные, а мощные полевые транзисторы, так как они имеют прекрасные параметры насыщения.
Если на выходе нежелателен меандр, легко получить чистую синусоиду применив фильтр Отта.
Могу нарисовать схему, если кому интересно.
